基本電氣要求：

1. 你將求解描述靜電場的兩個重要物理量：電場強度E和電勢V。 2. 掌握描述靜電場的重要定理：高斯定理和安培環定理（公式內容和物理意義）。

3.掌握靜電平衡及導體的應用； 介質的極化機制和介質中的高斯定理。 主要公式： 1.電場強度 1.點電荷場強：場強計算方法（3種） 1.點電荷場場強及疊加原理

Qir點電荷系統場強：連續帶電體場強：E

rdr30（五步積分法）（建立坐標系、取電荷元、寫dE、分解、積分）

2、靜電場高斯定理： 表達式： 物理意義：表明在靜電場中，通過任意閉合曲面的電通量（電場強度沿任意閉合曲面的面積積分）等于代數和表面所包含的電荷除以。

0 對稱帶電體場強：（利用高斯定理求解），利用電場與電勢的關系：

UExx 2. 電勢 電勢及其定義：

1.電場力確實起作用：

2.靜電場安??培環路定理：靜電場的保守性質

表達式：Edl0l 物理意義：表示在靜電場中，電場強度沿任意閉合路徑的線積分為0。

B3。 潛力：UaEdl(Up00)； 潛在差異：

aAp0電位的計算：

1、點電荷場的電勢及疊加原理 點電荷電勢： 點電荷系統電勢：Ui

dq40r連續帶電體電勢：VdV（四步積分法）（建立坐標系，取電荷元，寫出dV，積分） 2.已知場強分布計算電勢：定義法

lp 3.靜電場中的導體和電介質

1.了解靜電平衡的條件以及靜電平衡下導體的性質

2.了解電介質的極化機理和描述極化的物理量極化強度P，并能運用介質高斯定理求對稱或分區均勻問題中的D、E、P和界面。

處的束縛電荷面積密度。 3.可以根據電容的定義計算電容。

典型帶電系統的場強 均勻帶電球體 E0 球內典型帶電系統的電勢 均勻帶電球體 球體外部均勻帶電 無限直線 (U0) (a) 均勻帶電直線 E () 4020r 無限長度：E均勻帶電無限平面 E 均勻帶電無限平面

磁學恒定磁場（非保守力場）的基本要求：

1、熟悉畢奧-薩伐爾定律的應用，能夠利用右手螺旋定則求磁感應強度方向；

3、掌握描述磁場的兩個重要定理：高斯定理和安培環路定理（公式內容和物理意義）； 能夠利用回路定理計算常規電流的磁感應強度； 3. 能夠求解磁場中載流導線所受的安培力； 4.了解介質的磁化機理，能夠利用介質中的循環定律計算H和B。

主要公式：

． 畢奧-薩伐爾定律表達式： ()4r01) 有限長度載流直接導體，垂直距離 r 處的磁感應強度：B （其中 和 分別為起始電流方向和終止電流方向與連接到導線的方向之間的夾層）場點喇叭。）

12 無限長載流直導體，垂直距離r處的磁感應強度：BI02r 半無限長載流直導體，通過端點的垂直線上，垂直距離r處的磁感應強度：

） 圓形載流線圈，半徑為R，在中心O： 半圓形載流線圈，半徑為R，在中心O： B3）螺線管和螺旋環的內部磁場。 自己看書，記住公式。 2. 磁場高斯定理：

0表達式：mBdS0（被動場）（因為磁力線是一條閉合曲線，從閉合面看

如果 s 從一側進入，則它必須從另一側出去。）

物理意義：表明在穩定的磁場中，通過任意閉合曲面的磁通量（沿任意閉合曲面的磁場強度的面積積分）等于0。

3. 磁場安培環路定理：（有自旋場）

表達式： 物理意義： 表明在穩定磁場中，磁感應強度B沿任意閉合路徑的線積分等于乘以該路徑所包圍電流的代數和。 真空導磁率

004.洛倫茲力和安培力

1) 洛倫茲力：FqvB（磁場對移動電荷的作用力）

2）安培力：FIdlB（方向沿IdlB方向，或由左手定則確定）

l 積分法五步： 1.建立坐標系； 2.獲取當前元素Idl； 3. 寫； 4、分解； 5.

不可缺少的。

3）載流閉合線圈所經歷的磁矩：

M=mB（了解磁矩的定義和意義）

5.介質中的磁場

1）介質的磁化機理及三類磁性介質

2）磁介質的安培環路定理：電磁感應的基本要求：

1.了解法拉第電磁感應定律和楞次定律的內容和物理意義； 2.能夠求解感應電動勢和動電動勢的大小和方向； 了解自感和互感

感覺;

3.掌握麥克斯韋方程組及其含義，了解電磁波。 主要公式：

1.法拉第電磁感應定律：d． 可以利用楞次定律來確定感應電動勢的平方。

dt 方向。

Bdl(vBsin)。 動電動勢vll為v與B之間的角度； 為vB 方向與L 方向之間的夾角。 注：感應電動勢的方向沿vB 方向，從低電位到高電位。

B3。 感應電動勢和感應電場：E感應dldS；

tLS4。 麥克斯韋方程組和電磁波：

硫酸鈉

變化的磁場會產生電場

改變電場會產生磁場

波動光學

基本要求：

楊大師的雙縫干涉、單縫衍射、分裂點干涉、光柵衍射公式； 了解光程差的含義、半波損耗發生的條件以及增透膜和增透膜的原理； 主要公式：

1.光程差和半波損耗

光程差：幾何光程乘以折射率之差：

半波損耗：當入射光從折射率較小的光稀疏介質投射到折射率較大的光密介質表面時，反射光與入射光相比，相位發生突變，即光路中的跳躍。 （如果兩個

如果兩束相干光其中一束光發生半波損耗而另一束光沒有半波損耗，則會產生額外的光程差；

2 如果兩者都存在或不存在，則不存在額外的光程差。 ）

2、楊氏雙縫干涉：（D-縫屏距；d-雙縫間距；k系列）D亮紋公式：xkk亮d(2k1) D暗紋公式：xk暗2dD相鄰條紋間距：xd條紋特征：間隔均勻的明暗交替的直條紋，中間有零級亮條紋。條紋間距

x 和縫屏距離

D與入射光的波長成正比，與雙縫之間的距離d成反比。

3.可分析薄膜干涉

例如增透膜、增透膜、分點牛頓環等。

4． 單縫衍射：（f-透鏡焦距；a-單縫寬度；k-系列）

(2k1) (2k1)f 亮圖案公式：asin、xk 亮 22a 暗圖案公式：asink、xkfk 暗 af 中心亮圖案寬度：l20af 其他條紋寬度：la

條紋特征：明暗條紋交替的直條紋，中心有零級亮條紋，寬度與其他條紋的寬度成反比。

5、衍射光柵：（dab為光柵常數，為衍射角）

光柵方程：(ab)sink,k0,1,21(a為透光部分，b為不透明部分，d,N為每米劃痕數)N次。條紋間距l與透鏡焦距f，與入射光的波長成正比，與單縫寬度成正比

光柵清晰圖案公式：dsink、

第K級光譜張角：

第K級譜線寬度：xxxf(tgtg)

（dsink、dsink、400nm、紫光、760nm紅光） 條紋特征：條紋既有干涉又有衍射。 6． 光的偏振：（I為入射光的強度，為兩個偏振方向之間的夾角）

自然光穿過偏光鏡：馬呂斯定律：I0 偏振光穿過偏光鏡：I20 布儒斯特角：（i 為入射角， 為折射角）

當入射角滿足上述條件時，反射光為完全偏振光，偏振方向垂直于入射面； 折射光為部分偏振光，反射光與折射光垂直，即：i90

00量子物理基礎

主要內容：

1、黑體輻射的實驗規律無法用經典物理學來解釋。普朗克提出能量量子化假說，成功地解釋了黑體輻射的實驗規律大學物理公式，并引發了力的測量。

科學和許多現代技術的誕生。

量子概念：呃

2、光電效應的實驗規律無法用光的波動論來解釋。 愛因斯坦提出了光子假說。 使用愛因斯坦方程hν=mv2/2+pton粉解釋實驗規則

輻射也證明了光的量子性質。

3、德布羅意波（物質波）假說：任何物理粒子都像光子一樣具有波粒二象性。

vc時，m采用靜質量； 德布羅意關系式： hhPmv vc 時，m 采用動質量。 Emc2h 光子：hPmv4。 波函數的統計解釋

微觀粒子的狀態由波函數Ψ描述。 波函數 Ψ 是概率振幅。 波函數的平方|Ψ| 表示粒子在某一時間某一點出現的概率密度。 微觀粒子態的演化由薛定諤方程描述。 5. 不確定關系：

xpxh 其中：

（h6.6310，普朗克常數）

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